中國科學(xué)院突破高效LED芯片及材料關(guān)鍵技術(shù)
時(shí)間：2017-07-27 15:23:00 瀏覽：4351次
在“十一五”國家863計劃新材料領(lǐng)域項目的支持下，由中國科學(xué)院半導體研究所承擔的“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng )新團隊項目課題，通過(guò)技術(shù)輻射和轉移、人才培養以及國際交流合作等方式，實(shí)現了先進(jìn)技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng )新，從而提高了中國半導體照明產(chǎn)業(yè)的國際競爭能力，推動(dòng)了中國半導體照明工程的實(shí)施。該課題近日順利通過(guò)驗收。
“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng )新團隊，在人才培養和團隊建設等方面做出了積極的探索，通過(guò)加強科技創(chuàng )新團隊管理，引進(jìn)了數名國家“千人計劃”、中國科學(xué)院“百人計劃”及“國家杰出青年”獲得者，培養了數十名年輕人才，形成了百余人的學(xué)科交叉、具有前沿探索能力和工程化、產(chǎn)業(yè)化背景的高水平半導體照明人才隊伍。
針對中國節能減排的重大需求，“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng )新團隊建成了從半導體照明重大裝備、材料外延、芯片開(kāi)發(fā)到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導體照明工藝平臺，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。
該創(chuàng )新團隊還形成了一系列具有自主知識產(chǎn)權的重要研究成果，并制定了相關(guān)技術(shù)標準。在中國率先突破以氮化物為主的半導體外延材料生長(cháng)及摻雜、芯片結構設計及機理驗證、測試及封裝等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現了150lm/w以上的LED高效發(fā)光；成功制備了中國首個(gè)300nm以下室溫熒光發(fā)光的深紫外UVLED器件，并實(shí)現了器件功率的毫瓦級輸出；研制開(kāi)發(fā)了中國首臺48片MOCVD樣機，經(jīng)第三方檢測，設備外延的氮化鎵材料，各項性能指標達到了同類(lèi)國際MOCVD設備的水平。
